N-Kanal-Transistor IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

N-Kanal-Transistor IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
10.58€
5-24
9.92€
25-49
9.34€
50+
8.72€
Menge auf Lager: 28

N-Kanal-Transistor IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 5000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 50uA. Id(imp): 124A. Kanaltyp: N. Kosten): 553pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 460W. RoHS: ja. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP31N50L
29 Parameter
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
31A
IDSS (max)
2mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.15 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
5000pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
50uA
Id(imp)
124A
Kanaltyp
N
Kosten)
553pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
460W
RoHS
ja
Td(off)
54 ns
Td(on)
28 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
170 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier