N-Kanal-Transistor IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V

N-Kanal-Transistor IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V

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N-Kanal-Transistor IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4057pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFP260NPBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 280W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Maximaler Drainstrom: 46A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP260NPBF
21 Parameter
Gehäuse
TO-247AC
Drain-Source-Spannung (Vds)
200V
Drain-Source-Spannung Uds [V]
200V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
55 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
4057pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
50A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 28A
Einschaltzeit ton [nsec.]
17 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFP260NPBF
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
280W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
300W
Maximaler Drainstrom
46A
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier