N-Kanal-Transistor IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-Kanal-Transistor IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
3.83€
5-24
3.44€
25-49
3.21€
50-99
3.01€
100+
2.71€
Menge auf Lager: 105

N-Kanal-Transistor IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2159pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 315pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 186 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP250N
32 Parameter
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.075 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2159pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
315pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
214W
RoHS
ja
Td(off)
41 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
186 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier