N-Kanal-Transistor IRFP250, TO247, TO247AC
Menge
Stückpreis
1-4
3.04€
5-9
1.92€
10-19
1.77€
20-49
1.67€
50+
1.59€
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N-Kanal-Transistor IRFP250, TO247, TO247AC. Gehäuse: TO247, TO247AC. Aufladung: 82nC, 123nC. Drain-Source-Spannung: 200V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 700mK/W. Konditionierung: tubus. Leistung: 214W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 30A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 04/10/2025, 11:04
IRFP250
14 Parameter
Gehäuse
TO247, TO247AC
Aufladung
82nC, 123nC
Drain-Source-Spannung
200V
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Gehäuse thermischer Widerstand
700mK/W
Konditionierung
tubus
Leistung
214W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
30A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)