N-Kanal-Transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

N-Kanal-Transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
5.10€
5-24
4.61€
25-49
4.23€
50-99
3.90€
100+
3.41€
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N-Kanal-Transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 640A. Kanaltyp: N. Kosten): 1310pF. Leistung: 310W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP1405PBF
29 Parameter
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
160A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0042 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
55V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5600pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
640A
Kanaltyp
N
Kosten)
1310pF
Leistung
310W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
310W
RoHS
ja
Td(off)
140 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay