N-Kanal-Transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

N-Kanal-Transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
0.77€
5-24
0.65€
25-49
0.57€
50-99
0.50€
100+
0.41€
Menge auf Lager: 53

N-Kanal-Transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 140pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FC. IDss (min): 25uA. Id(imp): 7.7A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FC. Kosten): 53pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFL210
31 Parameter
ID (T=100°C)
0.6A
ID (T=25°C)
0.96A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
4
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
140pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code FC
IDss (min)
25uA
Id(imp)
7.7A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FC
Kosten)
53pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3.1W
RoHS
ja
Td(off)
14 ns
Td(on)
8.2 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
150 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier