N-Kanal-Transistor IRFL110PBF, SOT-223, 100V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 1.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: FL110. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27