N-Kanal-Transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.46€
5-24
2.14€
25-49
1.81€
50+
1.63€
Menge auf Lager: 47

N-Kanal-Transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 470ms. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFIBC40G
28 Parameter
ID (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1300pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
55 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
470ms
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier