N-Kanal-Transistor IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V

N-Kanal-Transistor IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V

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N-Kanal-Transistor IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V. Gehäuse: ITO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 4.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFI840GPBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRFI840GPBF
16 Parameter
Gehäuse
ITO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
55 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1300pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
4.6A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.85 Ohms @ 2.8A
Einschaltzeit ton [nsec.]
14 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFI840GPBF
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)