N-Kanal-Transistor IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Gehäuse: ITO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFI630GPBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22