N-Kanal-Transistor IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

N-Kanal-Transistor IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.62€
5-24
1.41€
25-49
1.26€
50-99
1.16€
100+
1.02€
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N-Kanal-Transistor IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Kosten): 330pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 54W. RoHS: ja. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

IRFI540NPBF
30 Parameter
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.052 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220 FULLPAK
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Kosten)
330pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
54W
RoHS
ja
Td(off)
44 ns
Td(on)
8.2 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
170 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier