N-Kanal-Transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

N-Kanal-Transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.72€
5-24
1.46€
25-49
1.27€
50-99
1.12€
100+
0.91€
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N-Kanal-Transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 360pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 29A. Kanaltyp: N. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRFI520G
27 Parameter
ID (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
7.2A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.27 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220 FULLPAK
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
360pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
DC/DC-Spannungswandler
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
29A
Kanaltyp
N
Kosten)
150pF
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
37W
Td(off)
19 ns
Td(on)
8.8 ns
Technologie
Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
130 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay