N-Kanal-Transistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD220PBF

N-Kanal-Transistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD220PBF. N-Kanal-Transistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. RoHS: ja. C(in): 22pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 6.4A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.