N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP-4. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD110PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.