N-Kanal-Transistor IRFD024PBF, HD-1, 60V. Gehäuse: HD-1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFD024PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38