N-Kanal-Transistor, 60V, 2.5A, 60V, DIP4 - IRFD024PBF

N-Kanal-Transistor, 60V, 2.5A, 60V, DIP4 - IRFD024PBF. N-Kanal-Transistor, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse: DIP4. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 2.5A. Gate/Source-Spannung Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Montageart: THT. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.