N-Kanal-Transistor IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 4. C(in): 310pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 13ns. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Td(off): 13 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: FET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43