N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBG30PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 89 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 980pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.