N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S

N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S. N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 54W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.