N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 4.1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBE30PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 82 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.