N-Kanal-Transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A

N-Kanal-Transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A. N-Kanal-Transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 8.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 650V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.