N-Kanal-Transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms
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Stückpreis
1-4
3.68€
5-9
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50+
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N-Kanal-Transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.002 Ohms. : erweitert. Aufladung: 90nC. Drain-Source-Spannung: 40V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Kanaltyp: N. Leistung: 208W. Maximaler Drainstrom: 172A/120A. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 208A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:22
IRFB7440PBF
18 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
40V
Einschaltwiderstand Rds On
0.002 Ohms
erweitert
Aufladung
90nC
Drain-Source-Spannung
40V
Gate-Source-Spannung
±20V
Kanaltyp
N
Leistung
208W
Maximaler Drainstrom
172A/120A
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
208A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)