N-Kanal-Transistor IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2770pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Plasma-Display. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 230A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB52N15D. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 590pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43