N-Kanal-Transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4530pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 330A. Kanaltyp: N. Kosten): 550pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43