N-Kanal-Transistor IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.082 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2370pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 124A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB32N20D. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 390pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43