N-Kanal-Transistor IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4220pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB260N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 580pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43