N-Kanal-Transistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2870pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 50uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 3480pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43