N-Kanal-Transistor IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. C(in): 760pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF8707G. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43