N-Kanal-Transistor IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kosten): 93 ns. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temperatur: +105°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43