N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 20A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7831. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.32V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4310pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.