N-Kanal-Transistor IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. IDss (min): 30uA. Id(imp): 66A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43