N-Kanal-Transistor IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V/-55V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740/690pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 4.7A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: F7343. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45