N-Kanal-Transistor IRF7313TRPBF, SO8, 30 v
Menge
Stückpreis
1+
1.87€
| +478 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 4000 |
N-Kanal-Transistor IRF7313TRPBF, SO8, 30 v. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 6.5A/6.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: F7313. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:50
IRF7313TRPBF
16 Parameter
Gehäuse
SO8
Drain-Source-Spannung Uds [V]
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
39 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
650pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
6.5A/6.5A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A
Einschaltzeit ton [nsec.]
12 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
F7313
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
2W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon