N-Kanal-Transistor IRF720PBF, TO-220AB, 400V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 410pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRF720PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45