N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F640NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 17:25.