N-Kanal-Transistor IRF640NPBF, TO220, 200V, 200V, 0.15 Ohms, 200V. Gehäuse: TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 200V. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 18A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 150W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Maximaler Drainstrom: 18A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22