N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A - IRF630PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A - IRF630PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 16:25.