N-Kanal-Transistor IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 26nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 670pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 100V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 250pF. Leistung: 88W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Strömung abfließen: 10A, 16A. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.16 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00