N-Kanal-Transistor IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V

N-Kanal-Transistor IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V

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N-Kanal-Transistor IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 9.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.5 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRF520NPBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 48W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Maximaler Drainstrom: 9.7A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRF520NPBF
22 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
100V
Einschaltwiderstand Rds On
0.20 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
32 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
330pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
9.7A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 5.7A
Einschaltzeit ton [nsec.]
4.5 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRF520NPBF
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
48W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
48W
Maximaler Drainstrom
9.7A
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier