N-Kanal-Transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V

N-Kanal-Transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V

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N-Kanal-Transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204A ). Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2700pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kosten): 600pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1600 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
IRF450
29 Parameter
ID (T=100°C)
7.75A
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.4 Ohms
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3 ( TO-204A )
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2700pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Repetitive Avalanche Ratings
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kosten)
600pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
170 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1600 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier