N-Kanal-Transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB. Gehäuse: TO220, TO220AB. Aufladung: 82nC. Drain-Source-Spannung: 100V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 920mK/W. Konditionierung: tubus. Leistung: 160W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 59A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15