N-Kanal-Transistor IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

N-Kanal-Transistor IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

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N-Kanal-Transistor IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 57A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: F3710S. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRF3710SPBF
17 Parameter
Gehäuse
D²-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-263
Drain-Source-Spannung Uds [V]
100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
45 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
3130pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
57A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.023 Ohms @ 28A
Einschaltzeit ton [nsec.]
12 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
F3710S
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier