N-Kanal-Transistor IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Gehäuse: TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 86.7nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Drain-Source-Spannung: 100V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 57A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF3710PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 57A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 200W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Serie: -. Strömung abfließen: 57A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42