Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 4.03€ | 4.80€ |
5 - 9 | 3.83€ | 4.56€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.41€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.32€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.22€ |
100 - 101 | 3.35€ | 3.99€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 4.03€ | 4.80€ |
5 - 9 | 3.83€ | 4.56€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.41€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.32€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.22€ |
100 - 101 | 3.35€ | 3.99€ |
N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRF2907Z. N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 680A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF2907Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 13:25.
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