N-Kanal-Transistor IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0053 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5480pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 169A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRF1405PBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 150W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 330W. Maximaler Drainstrom: 169A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06