N-Kanal-Transistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 170nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5480pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 450mK/W. IDss (min): 20uA. Id(imp): 680A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 1210pF. Leistung: 200W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Strömung abfließen: 133A. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 88 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00