N-Kanal-Transistor IRF1310NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 42A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: F1310NS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22