N-Kanal-Transistor IPB80N06S2-07, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0607. Kosten): 880pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00