N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IPB80N03S4L-02

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IPB80N03S4L-02. N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4N03L02. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 08:25.