N-Kanal-Transistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 860pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 45A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K15T60. Kollektorstrom: 15A. Kosten): 55pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35